Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

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DDR3 UDIMM -Speichermodulspezifikationen

Zahlungsart:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Minimum der Bestellmenge:
1 Piece/Pieces
Transport:
Ocean,Air,Express,Land
  • Produktbeschreibung
Overview
Produkteigenschaften

ModellNSO4GU3AB

Lieferfähigkeit & Zusatzinformationen

TransportOcean,Air,Express,Land

ZahlungsartL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Verpackung & Lieferung
Verkaufseinheiten:
Piece/Pieces

4 GB 1600 MHz 240-pin DDR3 Udimm


Revisionsgeschichte

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Bestellinformationstabelle

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Beschreibung
Hengstar-abgeliebter DDR3-SDRAM-DIMMS (nicht geleistete Doppeldatenrate Synchronous Dram Dual Inline-Speichermodule) sind niedrige Leistung, Hochgeschwindigkeits-Betriebsspeichermodule, die DDR3-SDRAM-Geräte verwenden. NS04GU3AB ist ein 512 m x 64-Bit zwei 4 GB DDR3-1600 CL11 1,5 V SDRAM-abgelassenes DIMM-Produkt, basierend auf sechzehn 256 m x 8-Bit-FBGA-Komponenten. Die SPD ist auf JEDEC Standard Latenz DDR3-1600 Timing von 11-11-11 bei 1,5 V programmiert. Jeder 240-polige DIMM verwendet Goldkontaktfinger. Der SDRAM -abgelassene DIMM ist für die Verwendung als Hauptspeicher vorgesehen, wenn sie in Systemen wie PCs und Workstations installiert werden.


Merkmale
 Stromversorgung: VDD = 1,5 V (1,425 V bis 1,575 V)
vddq = 1,5 V (1,425 V bis 1,575 V)
800MHz FCK für 1600 MB/Sek./Pin
8 Unabhängige interne Bank
Programmable CAS -Latenz: 11, 10, 9, 8, 7, 6
Programmierbare additive Latenz: 0, cl - 2 oder cl - 1 Uhr
8-Bit Vorab der Abnahme
Burst Länge: 8 (engagieren Sie ohne Grenzwert, sequentiell nur mit der Startadresse „000“), 4 mit TCCD = 4, was nicht nahtloses Lesen oder Schreiben [entweder im Fliegen mit A12 oder MRS] zulässt.
Bi-Richtung Differentialdaten-Strobe
Internale (Selbst-) Kalibrierung; Interne Selbstkalibrierung durch ZQ Pin (RZQ: 240 Ohm ± 1%)
 Ein Stanzabschluss mit ODT -Pin
 Durchschnitt Erfrischungsperiode 7,8us bei niedrigerer Tase 85 ° C, 3,9 us bei 85 ° C <TCase <95 ° C
Asynchrone Reset
Appierbares Data-Output-Laufwerksstärke
Fly-by Topologie
PCB: Höhe 1,18 ”(30 mm)
ROHS konform und halogenfrei


Schlüsselzeitparameter

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Adresstabelle

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


PIN -Beschreibungen

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Hinweise : Die folgende Tabelle Beschreibung der PIN -Beschreibung ist eine umfassende Liste aller möglichen Pins für alle DDR3 -Module. Alle aufgeführten Stifte Mai nicht auf diesem Modul unterstützt werden. Weitere Informationen für dieses Modul finden Sie in PIN -Zuordnungen.


Funktionales Blockdiagramm

4 GB, 512MX64 -Modul (2Rank von x8)

1


2


Notiz:
1. Die ZQ -Kugel an jeder DDR3 -Komponente ist mit einem externen 240 € ± 1% igen Widerstand verbunden, der an den Boden gebunden ist. Es wird für die Kalibrierung der On-Die-Kündigung und des Ausgangstreibers der Komponente verwendet.



Modulabmessungen


Vorderansicht

3

Vorderansicht

4

Anmerkungen:
1. Alle Abmessungen sind in Millimetern (Zoll); Max/min oder typisch (typ), wo notiert.
2. Toleranz auf allen Abmessungen ± 0,15 mm, sofern nicht anders angegeben.
3.Das diagniges Diagramm dient nur als Referenz.

Produktgruppe : Industrielles Smart -Modulzubehör

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